Еще одно подтверждение увеличенного объема памяти в следующем поколении смартфонов Apple опубликовал тайваньский ресурс DigiTimes, известный своими утечками из стана китайских производителей.
Источники DigiTimes отмечают повышенный спрос на оперативную память благодаря увеличенному объему мобильной DRAM в топовых смартфонов нового поколения, включая следующие iPhone. Отмечается увеличение объема RAM с 2 до 3 ГБ в новых iPhone.
DigiTimes не уточняет, коснется ли данное наращивание RAM всех моделей iPhone 7 или только старшей 5,5-дюймовой версии. Однако другие источники и более ранние слухи позволяют предположить, что больше памяти получит только iPhone 7 Plus.
Напомним, iPhone 7 станет десятым поколением смартфонов Apple. Может оказаться, что главным изменением в дизайне новых iPhone станет удаленный разъем для наушников, а большой редизайн отложится на 2017 год, когда Apple будет праздновать 10 лет с выхода первого iPhone. Смартфонам приписывают меньшую толщину, ускоренные процессоры Apple A10, минимум 32 ГБ встроенной памяти, вместо прежних 16 ГБ, более емкую батарею, улучшенную защиту от влаги, ускоренные LTE и Wi-Fi. В старшей модели также ожидается 3 ГБ оперативной памяти и двойная камера. Возможно также исчезновение стандартного 3,5-мм разъема для наушников универсального Lightning. Анонс ожидается в начале сентября.
